首页> 中国专利> 一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法

一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法

页面导航

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-03-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20120704 申请日:20120109

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20120109

实质审查的生效
2012-07-04

公开

公开

1. 一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法 [P] . 中国专利： CN102543755A . 2012-07-04
2. 通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法 [P] . 中国专利： CN102543690A . 2012-07-04
3. (110) surface orientation for reducing fermi-level-pinning between high-K dielectric and group III-V compound semiconductor substrate [P] . 美国专利： US9406518B2 . 2016-08-02

机译：（110）表面取向，用于减少高K电介质和III-V族化合物半导体衬底之间的费米能级钉扎
4. PMOS and NMOS transistors forming method, involves realizing epitaxy of silicon-germanium layer in etched portions, where etching depth of substrate and thickness of layer are such that surface levels of gates of transistors are adjusted [P] . 法国专利： FR2952225A1 . 2011-05-06

机译： PMOS和NMOS晶体管的形成方法，涉及在蚀刻的部分中实现硅锗层的外延，其中衬底的蚀刻深度和层的厚度使得可以调节晶体管的栅极的表面水平。
5. Schottky barrier metal-germanium contact in metal-germanium-metal photodetectors [P] . 美国专利： US7700975B2 . 2010-04-20

机译：金属锗金属光电探测器中的肖特基势垒金属锗接触