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用于基于氮化镓或其它氮化物的功率装置的含有锗的低欧姆触点

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本发明涉及一种设备，其包括衬底(120)、所述衬底上的III族氮化物层(102、104、106)及所述III族氮化物层上的电触点(108a、108b)。所述电触点包括具有多个导电材料层(110到116)的堆叠，且所述堆叠中的所述层中的至少一者包括锗。所述堆叠中的所述层可包括接触层(116)，其中所述接触层包括铝铜。所述堆叠可包括钛或钛合金层、铝或铝合金层，以及锗或锗合金层。所述堆叠中的所述层中的至少一者可包括具有在约1％与约5％之间的锗含量的铝或钛合金。

著录项

公开/公告号CN102576729A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-11

原文格式PDF
申请/专利权人国家半导体公司;
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申请/专利号CN201080042889.X
发明设计人贾迈勒·拉姆达斯;
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申请日2010-11-30
分类号H01L29/78;H01L29/778;H01L21/336;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人沈锦华
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 06:04:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20120711 申请日:20101130

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20101130

实质审查的生效
2012-07-11

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 用于基于氮化镓或其它氮化物的功率装置的含有锗的低欧姆触点 [P] . 中国专利： CN102576729A . 2012-07-11
2. 用于基于氮化镓或其它氮化物的半导体装置的背侧应力补偿 [P] . 中国专利： CN102549716B . 2016.08.03
3. Low ohmic contact containing germanium for power nitride based devices, or other gallium nitride [P] . 日本专利： JP2013514662A . 2013-04-25

机译：用于基于功率氮化物的器件或其他氮化镓的含锗的低欧姆接触
4. LOW OHMIC CONTACTS CONTAINING GERMANIUM FOR GALLIUM NITRIDE OR OTHER NITRIDE-BASED POWER DEVICES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2011084270A3 . 2011-09-29

机译：氮化镓或其他基于氮化物的功率器件中含锗的低欧姆接触
5. LOW OHMIC CONTACTS CONTAINING GERMANIUM FOR GALLIUM NITRIDE OR OTHER NITRIDE-BASED POWER DEVICES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2011084270A2 . 2011-07-14

机译：氮化镓或其他基于氮化物的功率器件中含锗的低欧姆接触