公开/公告号CN102639744A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 特来德斯通技术公司;
申请/专利号CN201080043517.9
发明设计人 王丛桦;张琳;小杰拉尔德·A·宫塔兹;
申请日2010-09-28
分类号C23C4/12;C23C4/06;B22F1/02;
代理机构北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;
代理人王达佐
地址 美国新泽西州
入库时间 2023-12-18 06:20:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C4/12 申请公布日:20120815 申请日:20100928
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-10-03
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C4/12 申请日:20100928
实质审查的生效
2012-08-15
公开
公开
机译: 高表面积,高导电性的三维多孔电极,用于电化学反应应用
机译: 用于制造具有高导电性的板形式的主体的方法,该方法具有硬质材料,薄单晶半导体-导电性的表面层以及根据所述方法获得的主体的主体,或类似方法
机译: 用于在金属电解中使用的支撑棒电极末端获得良好表面接触的方法,其中在接触表面上形成传输层,然后在其上涂覆高导电性的金属支撑棒;和电极。