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为结晶硅太阳能电池制造发射电极的方法和相应的硅太阳能电池

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摘要

在用于为硅晶片上的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法中，在硅太阳能电池的正面中产生凹陷。然后产生正面的n掺杂的硅层和抗反射层。然后借助喷墨印刷机将膏状物引入到凹陷中，该膏状物包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料，该腐蚀性玻璃熔料通过短时加热腐蚀穿透抗反射层到n掺杂的硅层并且电接触该n掺杂的硅层。此后在凹陷中将导电的正面触点金属电镀地积聚到经火后的膏状物上作为正面触点。

著录项

公开/公告号CN102687280A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-19

原文格式PDF
申请/专利权人吉布尔·施密德有限责任公司;
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申请/专利号CN201080036047.3
发明设计人 H·哈费尔坎普;P·米特齐内克;K·基宁格;J·佐尔纳;
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申请日2010-08-12
分类号H01L31/0224;H01L31/18;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杜荔南
地址德国弗罗伊登斯塔特
入库时间 2023-12-18 06:33:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0224 申请公布日:20120919 申请日:20100812

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0224 申请日:20100812

实质审查的生效
2012-09-19

公开

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机译：在晶体硅太阳能电池和相应的硅太阳能电池上制造发射电极的方法