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一步电沉积制备ZnO纳米棒阵列的方法

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摘要

本发明涉及一种通过直流电沉积在透明导电玻璃上生长ZnO纳米棒阵列的方法。属于纳米光电器件制备技术领域。其步骤包括：首先，配制一定浓度的Zn(NO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-04-01

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D9/06 申请公布日:20120926 申请日:20120626

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C25D9/06 申请日:20120626

实质审查的生效
2012-09-26

公开

公开

1. 一步电沉积制备ZnO纳米棒阵列的方法 [P] . 中国专利： CN102691084A . 2012-09-26
2. 一种液相掺杂Ga的ZnO纳米棒及p型ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P] . 中国专利： CN101186524A . 2008-05-28
3. Light emitting diode structure utilizing zinc oxide (ZnO) nanorod arrays on one or more surfaces, and a low cost method for fabricating such ZnO nanorod arrays [P] . 日本专利： JP2013510433A . 2013-03-21

机译：在一个或多个表面上利用氧化锌（ZnO）纳米棒阵列的发光二极管结构，以及用于制造这种ZnO纳米棒阵列的低成本方法
4. ZnO ZnOnanorods array and method for preparing thereof [P] . 韩国专利： KR101738573B1 . 2017-05-22

机译： ZnO ZnO纳米棒阵列及其制备方法
5. METHOD FOR PRODUCING P-TYPE ZnO BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING ZnO BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, P-TYPE ZnO BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL LAYER, ZnO BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND N-TYPE ZnO BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE [P] . 美国专利： US2014027766A1 . 2014-01-30

机译：制备P型ZnO基复合半导体层的方法，制备ZnO基复合半导体元件的方法，P型ZnO基复合半导体，单晶层，ZnO基复合半导体粉体，ZnO