首页> 中国专利> 用于DRAM故障校正的位替代技术

用于DRAM故障校正的位替代技术

摘要

本公开的实施方案提供了一种动态存储器装置,包括一组动态存储器单元和一组替代动态存储器单元。该组替代动态存储器单元包括包含在该组动态存储器单元中的预定故障单元的替代数据位的数据单元和包含识别故障单元的地址位的地址单元,其中每个数据单元与识别在动态存储器单元中的相关联的故障单元的一组地址单元相关联。该动态存储器装置还包括一个重映射电路,该电路重映射在该组动态存储器单元中的故障单元到在该组替代单元中的相关联的替代单元。

著录项

  • 公开/公告号CN102714061A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拉姆伯斯公司;

    申请/专利号CN201080061838.1

  • 发明设计人 F·A·韦尔;E·特塞恩;T·福格尔桑;

    申请日2010-11-10

  • 分类号G11C29/42;G11C29/18;G11C11/40;G06F11/10;

  • 代理机构北京市金杜律师事务所;

  • 代理人酆迅

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 06:52:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C29/42 申请公布日:20121003 申请日:20101110

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/42 申请日:20101110

    实质审查的生效

  • 2012-10-03

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号