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使用具有不同氧化镁(MgO)厚度的多个磁性隧道结的多级存储器单元

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摘要

公开了使用具有不同厚度的一层或多层的多个磁性隧道结(MTJ)结构(MTJ1、MTJ2)的多级存储器单元(MLC)。垂直堆叠并按串联安排的多个MTJ结构(MTJ1、MTJ2)可具有基本相同的面积尺寸以最小化制造成本，因为可使用一个掩模来形成多个MTJ结构(MTJ1、MTJ2)。此外，改变与一层或多层相关联的厚度可提供具有不同切换电流密度的多个MTJ结构(MTJ1、MTJ2)，从而增加存储器密度并改进读写操作。在一个实施例中，具有不同厚度的各层可包括与多个MTJ结构(MTJ1、MTJ2)相关联的隧道势垒或氧化镁层(46a、46b、56a、56b)和/或与多个MTJ结构(MTJ1、MTJ2)相关联的自由层(48a、48b、58a、58b)。

著录项

  • 公开/公告号CN104584134A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201380043908.4

  • 发明设计人 K·李;T·金;J·P·金;S·H·康;

    申请日2013-08-15

  • 分类号G11C11/16;G11C11/56;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈炜

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 08:30:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-26

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/16 申请公布日:20150429 申请日:20130815

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-09-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20130815

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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