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一种采用AlGaN沟道层的异质结材料的生长方法

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摘要

本发明是一种采用AlGaN沟道层的异质结材料的生长方法，包括：1）选取(0001)面蓝宝石衬底衬底，在氢气气氛下对衬底表面预处理；2）在衬底上依次生长GaN成核层、Al

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-14

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20150429 申请日:20141215

发明专利申请公布后的驳回
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20141215

实质审查的生效
2015-04-29

公开

公开

1. 一种采用AlGaN沟道层的异质结材料的生长方法 [P] . 中国专利： CN104576317A . 2015-04-29
2. 环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN112951899A . 2021-06-11
3. Heterojunction bipolar transistor mfg. process esp. with barrier between emitter and base - forming epitaxial emitter layer by lateral growth from base layer on collector layer through window in barrier material layer [P] . 法国专利： FR2693840A1 . 1994-01-21

机译：异质结双极晶体管制造。处理特别是在发射极和基极之间具有势垒-通过从集电极层上的基极层通过势垒材料层中的窗口横向生长来形成外延发射极层
4. Photovoltaic heterojunction device employing a wide bandgap material as an active layer [P] . 美国专利： US4016586A . 1977-04-05

机译：采用宽带隙材料作为有源层的光伏异质结器件
5. Photovoltaic heterojunction device employing a glassy amorphous material as an active layer [P] . 美国专利： US4024558A . 1977-05-17

机译：采用玻璃态非晶态材料作为有源层的光伏异质结器件