公开/公告号CN104579035A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-04-29
原文格式PDF
申请/专利权人 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院;
申请/专利号CN201310521780.X
申请日2013-10-29
分类号H02P6/08;
代理机构核工业专利中心;
代理人高尚梅
地址 100076 北京市丰台区南大红门路1号
入库时间 2023-12-18 08:35:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-29
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H02P6/08 申请公布日:20150429 申请日:20131029
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H02P6/08 申请日:20131029
实质审查的生效
2015-04-29
公开
公开
机译: 一种由MOSFET及其驱动电路构成串联-并联开关单元电压平衡电路的开关的电路
机译: 基于多绕组变压器耦合的串联SiC MOSFET驱动电路
机译: 一种制造集成MOSFET缺陷晶体管的方法,特别是具有由金属硅化物构成的附加电路级的互补MOS场缺陷晶体管电路。