首页> 中国专利> 一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法

一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法，包括以下步骤：将硅片超声清洗，然后用氮气枪吹干；烘烤去水分；利用光刻胶处理；烘烤去除多余的有机溶剂；曝光；显影；用去离子水冲洗，氮气枪吹干。本发明方法采用薄胶方法，通过激光干涉光刻平台在硅片上制备出高均匀性的纳米图形，这种方法有效地避免了驻波效应，并能够为干法刻蚀提供很好的掩膜图形，制作大面积的点阵或者孔阵材料提供很好的基础，从而利用薄胶方法使用相对廉价的系统，减小了成本压力，而且也为实现产业化提供了很好的基础。本发明作为一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法可广泛应用于半导体领域。

著录项

公开/公告号CN104820341A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-05

原文格式PDF
申请/专利权人华南师范大学;
展开▼

申请/专利号CN201510155551.X
发明设计人何苗;杨帆;郑树文;宿世臣;
展开▼

申请日2015-04-02
分类号G03F7/00(20060101);H01L21/027(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人郑莹
地址 510630 广东省广州市天河区中山大道西55号
入库时间 2023-12-18 10:16:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-10

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F7/00 申请公布日:20150805 申请日:20150402

发明专利申请公布后的驳回
2015-09-02

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/00 申请日:20150402

实质审查的生效
2015-08-05

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法 [P] . 中国专利： CN104820341A . 2015-08-05
2. 一种基于纳米压印技术制备图形化蓝宝石衬底的方法 [P] . 中国专利： CN105514228B . 2018.11.09
3. 4- SERS Method of Fabricating Nano Dot Pattern and SERS Plate using 4-Beam Laser Interference Lithography [P] . 韩国专利： KR101834917B1 . 2018-03-08

机译： 4-光束激光干涉光刻技术制备纳米点阵图形和SERS板的4-SERS方法
4. METHOD FOR MANUFACTURING A PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY USING LASER INTERFERENCE LITHOGRAPHY, CAPABLE OF FORMING A LARGE NANOSCALE PATTERN [P] . 韩国专利： KR20130099589A . 2013-09-06

机译：利用激光干涉光刻技术制造相变随机存取存储器的方法，该方法能够形成较大的纳米尺度图案
5. APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATION NANO RESONATOR USING LASER INTERFERENCE LITHOGRAPHY [P] . 韩国专利： KR101959334B1 . 2019-03-19

机译：利用激光干涉光刻技术制造纳米谐振器的装置和方法