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用于沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的低米勒电容的较厚的底部氧化物

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本发明公开了一种用于沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的低米勒电容的较厚的底部氧化物，提出了半导体器件的制备方法和器件。该半导体功率器件形成在半导体衬底上，具有多个沟槽晶体管晶胞，每个晶胞都有一个沟槽栅极。每个沟槽栅极都具有通过多晶硅层上的再氧化工艺形成的较厚的底部氧化物（TBO），沉积在沟槽的底面上。

著录项

公开/公告号CN104821333A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-08-05

原文格式PDF
申请/专利权人万国半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN201510029536.0
发明设计人李亦衡;王晓彬;
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申请日2015-01-21
分类号
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人张静洁
地址美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475号
入库时间 2023-12-18 10:21:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-04-03

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20150805 申请日:20150121

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-09-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20150121

实质审查的生效
2015-08-05

公开

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