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一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法

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本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*1015-1.02*1017atoms/cm3，硼元素1015-1017atoms/cm3,锗元素1016-2*1019atoms/cm3。同时，本发明还公开了一种制备所述的镓硼锗共掺多晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺多晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了硅片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺多晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。

著录项

公开/公告号CN105002557A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-28

原文格式PDF
申请/专利权人常州天合光能有限公司;
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申请/专利号CN201510492035.6
发明设计人刘依依;葛文星;付少永;熊震;
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申请日2015-08-12
分类号C30B29/06(20060101);C30B28/06(20060101);
代理机构33233 浙江永鼎律师事务所;
代理人郭小丽
地址 213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
入库时间 2023-12-18 11:28:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-09

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/06 申请公布日:20151028 申请日:20150812

发明专利申请公布后的驳回
2015-11-25

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/06 申请日:20150812

实质审查的生效
2015-10-28

公开

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