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反应磁控溅射等离子体稳定性过程控制系统及方法

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一种应用于IC集成、太阳能制造、平板显示器、甚至大面积节能玻璃生产的环保、信息等领域中的反应磁控溅射等离子体稳定性过程控制系统及方法，包括一个等离子体光传感器、执行器为多路电磁阀、控制器的为工业控制计算机，等离子体光传感器的作用是实时采集磁控溅射过程反应气体和靶材粒子发射的等离子体谱线强度和波长；执行器的作用是及时调节气体的质量流量；控制器的作用是对设定的特征谱线相对强度进行控制调节。该发明实时诊断反应溅射过程中各种反应物种的成分和含量，从量上实现对薄膜特性的在线控制，及时调整过程参数保证产品质量。

著录项

公开/公告号CN105441900A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-30

原文格式PDF
申请/专利权人东北大学;
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申请/专利号CN201410502723.1
发明设计人王庆;
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申请日2014-09-28
分类号C23C14/54;C23C14/35;
代理机构沈阳世纪蓝海专利事务所(普通合伙);
代理人谭琦
地址 110004 辽宁省沈阳市和平区文化路3巷11号东北大学319信箱
入库时间 2023-12-18 14:59:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-04-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/54 申请公布日:20160330 申请日:20140928

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-03-30

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1. 反应磁控溅射等离子体稳定性过程控制系统及方法 [P] . 中国专利： CN105441900A . 2016-03-30
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