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SONOS结构EEPROM及其存储器阵列和操作的方法、及SONOS器件

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摘要

本发明涉及SONOS结构EEPROM的存储器阵列、SONOS结构EEPROM、在SONOS结构EEPROM中进行操作的方法、以及SONOS器件。其中存储器阵列包括多个字节存储单元，其中每个字节存储单元包括8个比特存储单元；每一个所述比特存储单元包括用于分别存储两个相反信息之一的第一存储子单元和第二存储子单元；且所述第一存储子单元和第二存储子单元相邻布置、且结构和尺寸相同；所述第一存储子单元和第二存储子单元分别连接于各自的位线。实施本发明，可以使用很小尺寸的SONOS工艺存储单元(一般不到普通浮栅结构EEPROM存储单元的1/5)、有效节省芯片面积；可以缩短擦/写所需时间，在编程时间上接近浮栅结构EEPROM。从而，在性能基本接近浮栅型EEPROM的前提下，芯片面积和成本能得到大幅度的降低。

著录项

  • 公开/公告号CN105654987A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市芯飞凌半导体有限公司;

    申请/专利号CN201610122380.5

  • 发明设计人 胡小波;罗雄才;王茂菊;

    申请日2016-03-02

  • 分类号G11C16/08;G11C16/24;H01L27/115;

  • 代理机构深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人林俭良

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区科技园北朗山路7号中航工业南航大厦908

  • 入库时间 2023-12-18 15:46:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/08 申请日:20160302

    实质审查的生效

  • 2016-06-08

    公开

    公开

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