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提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路

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本发明公开了一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本发明CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘获电子的介质材料，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用辐照后表现为不俘获空穴的介质材料。本发明CMOS晶体管及集成电路的制备与常规CMOS工艺兼容，可有效提高抗辐照特性，且不增加额外的费用。

著录项

公开/公告号CN101630660B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-01-23

原文格式PDF
申请/专利权人北京大学;
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申请/专利号CN200910088447.8
发明设计人薛守斌;黄如;张兴;
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申请日2009-07-07
分类号
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
入库时间 2022-08-23 09:12:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-07-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20130123 终止日期:20170707 申请日:20090707

专利权的终止
2013-01-23

授权

授权
2013-01-23

授权

授权
2010-03-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-03-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-01-20

公开

公开
2010-01-20

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