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硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭

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本发明涉及硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭，提供方法和装置，其产生最终介电蚀刻补偿表格和最终硬式蚀刻补偿表格，用于OPC或MPC程序流程。实施例包含：在晶圆上实施重迭图案分类；依据该图案分类，校准介电蚀刻偏移或硬式掩膜蚀刻偏移；对照标准，将通孔层和金属层的CD重迭与该通孔层和下部连接金属层的CD重迭、或将该金属层和上部连接通孔层的CD重迭与该金属层和该通孔层的CD重迭相比较；输出最终介电蚀刻补偿和硬式掩膜蚀刻补偿表格至OPC或程序流程；以及对剩下的该通孔层或金属层重复该校准、比较和输出步骤。

著录项

公开/公告号CN106486347A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-08

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN201610797046.X
发明设计人宁国祥;任玉平;D·帕沃尔;L·史奥克恩;林振忠;保罗·W·阿克曼;胡项;
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申请日2016-08-31
分类号H01L21/027;H01L21/768;G06F17/50;
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-06-19 01:42:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-01

授权

授权
2017-04-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20160831

实质审查的生效
2017-03-08

公开

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1. 硬掩膜蚀刻和介电蚀刻与通孔和金属层的介电蚀刻察觉重迭 [P] . 中国专利： CN106486347A . 2017-03-08
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