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激光退火设备、多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法

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摘要

本申请提供了一种激光退火设备、多晶硅薄膜的制备方法以及薄膜晶体管的制备方法。该激光退火设备包括激光发生器、光路元件和退火室，激光发生器配置为发射激光束，激光束经光路元件被引导至退火室，光路元件包括分束镜，分束镜将激光束分解成第一光束和第二光束且使得第一光束的能量密度大于第二光束的能量密度，第一光束和第二光束被引导至退火室中以用于激光退火。采用该激光退火设备对非晶硅薄膜进行退火处理可以减少多晶硅薄膜表面的非均匀性，从而可以提高电子和空穴的迁移率，进而解决薄膜晶体管的漏电流较大、迁移率及阈值电压不均匀的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106783536A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司;

    申请/专利号CN201611072259.2

  • 发明设计人 王景帅;

    申请日2016-11-29

  • 分类号H01L21/02;H01L21/67;H01L29/786;H01L21/336;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人彭久云

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2023-06-19 02:20:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20161129

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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