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一种电子束熔炼去除多晶硅中杂质砷的方法

摘要

一种电子束熔炼去除硅中杂质砷的方法,属于电子束熔炼技术领域。方法步骤包括在料仓、熔炼坩埚、送料小车、五个凝固坩埚中均装入重掺砷硅料;装料完毕后,电子束炉抽真空,当真空度小于0.5Pa时开始预热3把电子枪;3把电子枪功率继续保持250kW熔化并熔炼硅料;将照射熔炼坩埚的2把电子枪关闭,硅液倾倒,倾倒完成后,将另1把照射凝固坩埚的电子枪功率保持250kW;最终电子枪按照250kW维持10min,200kW维持2min,150kW维持3min,120kW维持5min,100kW维持7min,80kW维持8min,50kW维持12min,30kW维持16min,20kW维持20min,0kW降束凝固。本发明可以有效去除重掺砷硅废料中的杂质砷,去除率达到99.6%,从而实现重掺砷硅废料的重复利用,且方法条件温和易于操作,生产周期短,技术稳定,生产效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN107055546A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201710028803.1

  • 发明设计人 李鹏廷;孟剑雄;王峰;姚玉杰;

    申请日2017-01-16

  • 分类号C01B33/037(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人梅洪玉

  • 地址 266300 山东省青岛市蓝色硅谷核心区创业中心

  • 入库时间 2023-06-19 03:00:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/037 申请日:20170116

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

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