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具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法

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摘要

一种具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法，在常规铝镓铟磷基发光二极管的基础上，通过键合和衬底去除，将一粗化的n型铝镓铟磷基外延层引入并结合到原有发光二极管结构中，第一外延片就是常规铝镓铟磷基发光二极管，制作第二外延片提供可粗化外延层，为了使可粗化外延层结合到第一外延片的第一键合窗口层表面，在两者之间提供第二键合窗口层，并通过高温高压条件下直接键合方式，将第一键合窗口层和第二键合窗口层结合形成键合，本发明成功地将湿法粗化n型铝镓铟磷基外延层应用于常规铝镓铟磷基发光二极管，大幅度提升了取光效率；与倒装铝镓铟磷基发光二极管相比，本发明的制作工艺简单且不存在焊线坑洞问题。

著录项

  • 公开/公告号CN101807649B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门市三安光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201010131565.5

  • 发明设计人 潘群峰;吴志强;洪灵愿;吴超瑜;

    申请日2010-03-19

  • 分类号H01L33/20(20100101);H01L33/22(20100101);

  • 代理机构35101 厦门原创专利事务所;

  • 代理人徐东峰

  • 地址 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-23

    授权

    授权

  • 2011-01-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20100319

    实质审查的生效

  • 2010-08-18

    公开

    公开

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