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电子器件用外延基板、电子器件、电子器件用外延基板的制造方法及电子器件的制造方法

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摘要

本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

著录项

公开/公告号CN107112242A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-29

原文格式PDF
申请/专利权人信越半导体股份有限公司;三垦电气株式会社;
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申请/专利号CN201580072647.8
发明设计人萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志;
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申请日2015-12-18
分类号H01L21/338(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/778(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/812(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人李英艳;张永康
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 03:13:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/338 申请日:20151218

实质审查的生效
2017-08-29

公开

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