首页> 中国专利> 离子源以及用于在大处理区域上产生具有可控离子电流密度分布的离子束的方法

离子源以及用于在大处理区域上产生具有可控离子电流密度分布的离子束的方法

页面导航

摘要

本公开的离子源包括用于改变离子源的排放空间内的等离子体的分布的一个或多个电磁体。所述电磁体中的至少一个定向成围绕所述离子源的管状侧壁的外周并且改变所述排放空间的边缘区域中的等离子体的分布。

1. 离子源以及用于在大处理区域上产生具有可控离子电流密度分布的离子束的方法 [P] . 中国专利： CN107438328A . 2017-12-05
2. 用于在芯片上产生多个测量区域的方法及具有多个测量区域的芯片 [P] . 中国专利： CN108367289A . 2018-08-03
3. Ion sources and methods for generating ion beams with controllable ion current density distributions over large treatment areas [P] . 美国专利： US10128083B2 . 2018-11-13

机译：离子源和产生离子束的方法，该离子束在较大的处理区域上具有可控的离子电流密度分布
4. ION SOURCES AND METHODS FOR GENERATING ION BEAMS WITH CONTROLLABLE ION CURRENT DENSITY DISTRIBUTIONS OVER LARGE TREATMENT AREAS [P] . SG10201703459YA . 2018-01-30

机译：在大型处理区域中生成具有可控离子电流密度分布的离子束的离子源和方法
5. ION SOURCES AND METHODS FOR GENERATING ION BEAMS WITH CONTROLLABLE ION CURRENT DENSITY DISTRIBUTIONS OVER LARGE TREATMENT AREAS [P] . 韩国专利： KR20170136438A . 2017-12-11

机译：在大型处理区域中生成具有可控离子电流密度分布的离子束的离子源和方法