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一种多壳型CdZnS/CdSe/ZnS核/壳结构量子点的制备方法

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本发明涉及一种多壳层CdZnS/CdSe/ZnS核/壳结构量子点的制备方法，采用高温热注入法、交替连续离子层吸附生长法以及双前体方法合成CdZnS/CdSe/ZnS量子点，其中又有四种可行性方案来合成此量子点。本发明通过连续的包覆不同厚度、不同层数的CdSe和ZnS壳层，得到连续可调谐的宽光谱范围，具有单色性好、单分散性好以及具有窄而对称的荧光发射峰等特点，还可有效提高发光的稳定性，比单个CdZnS量子点和CdSe量子点或CdZnS/CdSe量子点拥有更多更好的光学特性。并且，通过改变CdSe壳层的厚度，连续包裹ZnS壳层，可以改变量子点的电子空穴的分布状态，由此可制备多种不同性质的材料，进一步应用于各个方面。

著录项

公开/公告号CN107573924A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-12

原文格式PDF
申请/专利权人南昌航空大学;
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申请/专利号CN201710848038.8
发明设计人李清华;白锦科;董成通;金肖;
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申请日2017-09-19
分类号
代理机构南昌洪达专利事务所;
代理人刘凌峰
地址 330063 江西省南昌市丰和南大道696号
入库时间 2023-06-19 04:19:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-28

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C09K11/02 申请公布日:20180112 申请日:20170919

发明专利申请公布后的驳回
2018-02-06

实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/02 申请日:20170919

实质审查的生效
2018-01-12

公开

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1. 一种多壳型CdZnS/CdSe/ZnS核/壳结构量子点的制备方法 [P] . 中国专利： CN107573924A . 2018-01-12
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