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新型FinFET静电防护电压箝位装置及其制备方法

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本发明公开了一种新型FinFET静电防护电压箝位装置及其制备方法。该装置由制作在半导体基底上的FinFET和体引出组成，体引出形态上相交于FinFET的电流通路。本发明的装置将三维沟道的下半部分引出而使得体端引出，所形成的十字形结构使得寄生双极型晶体管的基区能够被固定而不再浮空。该装置在固定寄生双极型晶体管基区电位的同时，不减弱FinFET对沟道的控制能力，降低了闩锁风险。本发明的方法，在正常的FinFET流程基础上，增加一步或者多步半ICP刻蚀的工艺流程和额外的一张或者多张掩膜版，保留数十纳米的侧边处硅作为体引出，工艺上与现有工艺具有良好的兼容性，花费很低的成本即可集成到现有工艺流程中。

著录项

公开/公告号CN107749412A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-02

原文格式PDF
申请/专利权人常州工学院;
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申请/专利号CN201710929902.7
发明设计人姜一波;董良威;翟明静;鲍静益;葛云飞;王玥;汤洪波;
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申请日2017-10-09
分类号
代理机构南京知识律师事务所;
代理人高桂珍
地址 213032 江苏省常州市新北区辽河路666号
入库时间 2023-06-19 04:40:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20171009

实质审查的生效
2018-03-02

公开

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