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用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法

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用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。

著录项

公开/公告号CN108028270A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-11

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社理光;
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申请/专利号CN201680053386.X
发明设计人植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀;
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申请日2016-09-09
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人肖靖泉
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 05:20:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20160909

实质审查的生效
2018-05-11

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