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包括拉伸应变的锗沟道的晶体管

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公开了用于形成包括拉伸应变的锗（Ge）沟道材料的晶体管结构的技术。晶体管结构可以被用于n型和p型晶体管器件中的任一者或两者，因为拉伸应变的Ge具有适用于这两种类型的极高载流子迁移率特性。因此，可以通过使用本文所描述的技术形成CMOS器件中包括的n‑MOS和p‑MOS器件来实现简化的CMOS集成方案。在一些情况下，可以通过在具有高于Ge的晶格常数的III‑V族材料上外延生长Ge材料和/或通过向在其上形成晶体管的裸片施加宏观3点弯曲来实现拉伸应变的Ge。可以使用这些技术来形成具有平面或非平面配置的晶体管，诸如鳍式配置（例如，finFET或三栅极）或栅极全包围（GAA）配置（包括至少一个纳米线）。

著录项

公开/公告号CN108369958A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-03

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201580085543.0
发明设计人 C.S.莫哈帕特拉;G.A.格拉斯;A.S.墨菲;K.贾姆布纳坦;W.拉赫马迪;G.德韦伊;T.加尼;J.T.卡瓦利罗斯;
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申请日2015-12-24
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张涛
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 06:32:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20151224

实质审查的生效
2018-08-03

公开

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1. 包括拉伸应变的锗沟道的晶体管 [P] . 中国专利： CN108369958A . 2018-08-03
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