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公开/公告号CN108538850A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN201810348937.6
发明设计人 廖佳佳;曾斌建;彭强祥;廖敏;周益春;
申请日2018-04-18
分类号H01L27/1159(20170101);H01L21/28(20060101);
代理机构35222 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨唯
地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘卢家滩27号湘潭大学
入库时间 2023-06-19 06:29:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/1159 申请日:20180418
实质审查的生效
2018-09-14
公开
机译： 使用铁电栅场效应晶体管的非易失性存储器
机译： 一种半导体存储器，其存储单元具有两个具有共同浮栅的场效应晶体管及其操作方法
机译：使用多晶电容器和金属氧化物半导体场效应晶体管的带中间电极的铁电栅场效应晶体管存储器的操作
机译：离子轰击辅助溅射和氧自由基处理在非晶SiO_2上形成大矫顽场的铁电薄膜形成技术，以进一步缩小铁电栅场效应晶体管存储器件的尺寸
机译：基于铁电-绝缘子界面导电的铁电栅场效应晶体管存储器的制作与表征
机译：Pt / SrBi2Ta2O9 / Hf-Al-O / Si铁电栅场效应晶体管的小型化和存储器阵列集成
机译：一种新颖的高K SONOS型非易失性存储器和NMOS氧化ha Vth不稳定性研究，用于栅电极和界面处理效果。
机译：通过紫外线臭氧处理铁电三元共聚物实现高迁移率低压工作的有机场效应晶体管非易失性存储器
机译：用于推进光可擦除有机场效应晶体管存储器的CDSE量子点浮栅表面改变的校正
机译：制备工艺和焊接熔体对正交异性钢桥面焊缝抗疲劳性能的影响
