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一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法

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摘要

本发明公开一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗单晶硅衬底,去除单晶硅衬底表面的油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备,以Al靶为靶材，将单晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar以及反应气体N

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-30

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B29/16 申请公布日:20180921 申请日:20180604

发明专利申请公布后的撤回
2018-10-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/16 申请日:20180604

实质审查的生效
2018-09-21

公开

公开

1. 一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN108560051A . 2018-09-21
2. AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法 [P] . 中国专利： CN104701137B . 2018.06.15
3. A process for the preparation of a cushioning element with an integrated fire protection layer which is equipped with these elements as well as comfort article. [P] . 德国专利： DE307290T1 . 1989-09-14

机译：一种具有集成防火层的缓冲元件的制备方法，该防火层配备有这些元件以及舒适用品。
4. Electronic component with buffer layer, the preparation method thereof and the semiconductor device having buffers [P] . 德国专利： DE102008037835B4 . 2014-09-25

机译：具有缓冲层的电子部件，其制备方法以及具有缓冲层的半导体器件
5. Low Defect Relaxed SiGe/Strained Si Structures on Implant Anneal Buffer/Strain Relaxed Buffer Layers with Epitaxial Rare Earth Oxide Interlayers and Methods to Fabricate Same [P] . 美国专利： US2016322221A1 . 2016-11-03

机译：具有外延稀土氧化物夹层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制备方法