• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法

一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

此发明为一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法，此TVS适用于保护超低驱动电压的半导体IC，随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断缩小，半导体IC的驱动电压也变得越来越低，驱动电压从12V降低到5V，再到3.3V、2.5V，这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应降低，以便更好地保护半导体IC，当普通二极管TVS击穿电压低于5V后，齐纳击穿逐步代替雪崩击穿成为主要击穿形式，齐纳击穿的隧道效应导致漏电增大至1E‑5A水平，此时的二极管已经不能胜任IC过压保护工作，此发明的单向NPN穿通型TVS利用NPN晶体管的基区穿通特性，通过控制NPN晶体管基区的浓度及厚度，既能做到击穿电压低于5V，同时又能保证漏电低至1E‑9A水平，完全胜任超低压IC的过压保护工作。

著录项

  • 公开/公告号CN108899312A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海芯石半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN201810473559.4

  • 发明设计人 薛维平;关世瑛;王金秋;

    申请日2018-05-17

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1077号2幢1152-B室

  • 入库时间 2023-06-19 07:24:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20180517

    实质审查的生效

  • 2018-11-27

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号