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一种可以有效提高器件击穿特性的LDMOS结构

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本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，涉及半导体600V BCD工艺中的高压器件领域，具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构，此结构在不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。该方法包括调整POLY和金属场板尺寸及栅极的个数，使得器件性能参数得到较大改善。

著录项

公开/公告号CN109103244A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-28

原文格式PDF
申请/专利权人上海卓弘微系统科技有限公司;
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申请/专利号CN201710467623.3
发明设计人沈立;
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申请日2017-06-20
分类号H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构
代理人
地址 201399 上海市浦东新区惠南镇沪南公路9356弄1-36号407室
入库时间 2023-06-19 07:57:16

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法律状态
2018-12-28

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