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基于中心节点的二层相异性社区发现算法研究

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本发明提供了一种基于中心节点的二层相异性社区发现算法(TDCN‑CD)。其中，所述方法包括：首先，通过节点的度和距离选择中心节点，避免了同一社区中距离较近的节点同时被选为中心节点。其次，提出了基于二层的节点相异性指标，可以深度挖掘节点相异性性质，达到精确社区划分的效果。最后，采用Karate和Dolphins两个数据集，分别进行仿真和结果分析，表明相比于Girvan‑Newman和Fast‑Newman经典社区划分算法，TDCN‑CD算法可以有效地检测出社区结构，达到更加准确划分社区的效果。

著录项

公开/公告号CN111797281A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-20

原文格式PDF
申请/专利权人北京信息科技大学;
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申请/专利号CN201910264110.1
发明设计人张月霞;陈紫扬;
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申请日2019-04-03
分类号G06F16/901(20190101);G06Q50/00(20120101);
代理机构
代理人
地址 100101 北京市朝阳区北四环中路35号
入库时间 2023-06-19 08:00:20

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专利
中文文献
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1. 基于中心节点的二层相异性社区发现算法研究 [P] . 中国专利： CN111797281A . 2020-10-20
2. 基于故障相及非故障相相电流突变量差异性的配网单相接地故障定位方法 [P] . 中国专利： CN110703040A . 2020-01-17
3. Laminate used for covering e.g. paper or plastic cups is made with first layer of defined ultimate tensile extension and second layer comprising continuous- and disperse phase of directionally-defined aspect ratio [P] . 德国专利： DE10020167A1 . 2000-11-30

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4. method for manufacturing a semiconductor devicebased on a surface of a half geleiderlichaam an opening provided a first layer of silica and throughout the opening a second layer of silicon dioxide are presented.the second layer of such a quantity of a compound of an element of a different doteringsstofelement added that the etssnelheid of twerkwijze paper-making vin a semiconductor device, which on a surface of a half geleiderlichaam an opening of a v [P] . NL166155C . 1981-06-15

机译：用于基于半凝胶凝胶表面的半导体器件的制造方法，提供了提供第一二氧化硅层的开口和贯穿该开口的第二二氧化硅层的第二层。第二层中的这种量的不同元素的化合物doteringsstofelement补充说，twerkwijze造纸厂的etssnelheid通过半导体器件出现，该器件在半凝胶表面上的av开口
5. method for manufacturing a semiconductor devicebased on a surface of a half geleiderlichaam an opening provided a first layer of silica and throughout the opening a second layer of silicon dioxide are presented.the second layer of such a quantity of a compound of an element of a different doteringsstofelement added that the etssnelheid of twerkwijze paper-making vin a semiconductor device, which on a surface of a half geleiderlichaam an opening of a v [P] . NL166155B . 1981-01-15

机译：用于基于半凝胶凝胶表面的半导体器件的制造方法，提供了提供第一二氧化硅层的开口和贯穿该开口的第二二氧化硅层的第二层。第二层中的这种量的不同元素的化合物doteringsstofelement补充说，twerkwijze造纸厂的etssnelheid通过半导体器件出现，该器件在半凝胶表面上的av开口