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基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法

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本发明公开了一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，本发明还公开了一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，首先对衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用；在清洗后的衬底上进行P型NiFe2O4层生长；在得到的P型NiFe2O4层上的部分区域进行N型β‑Ga2O3层生长；在得到的P型NiFe2O4层上制作P型NiFe2O4层上的电极；在得到的N型β‑Ga2O3层上制作N型β‑Ga2O3层上的电极，最终形成所述基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管。本发明解决了现有技术中由于p型Ga2O3材料的缺乏而无法制备Ga2O3基pn结紫外光电二极管的问题。

著录项

公开/公告号CN112071944A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-11

原文格式PDF
申请/专利权人西安理工大学;
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申请/专利号CN202010867804.7
发明设计人胡继超;许蓓;贺小敏;臧源;李连碧;
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申请日2020-08-26
分类号H01L31/109(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人韩玙
地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
入库时间 2023-06-19 08:06:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-07-15

授权

发明专利权授予

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