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AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法

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摘要

本发明涉及AlGaN基深紫外发光二极管及其AlGaN外延片和制备方法，所述AlGaN基深紫外发光二极管和所述AlGaN外延片采用单层图形化BN缓冲层作为缓冲层，利用单层BN的层间采用范德华力的特点，可以有效地降低外延层中的应力大小；利用单层BN与外延层同属III族氮化物的特性，可以获得较好的外延兼容性；此外，利用图形化BN缓冲层的图形密度和图形大小可控的特点，可以实现氮化物生长时成核中心位置均匀性和密度的可控，以此提升所述AlGaN外延片的结晶质量和降低所述AlGaN外延片的位错密度，从而提高所述AlGaN外延片的内量子效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111987197A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;

    申请/专利号CN202011050018.4

  • 发明设计人 孙晓娟;隋佳恩;蒋科;张山丽;石芝铭;

    申请日2020-09-29

  • 分类号H01L33/12(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹卫良

  • 地址 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

  • 入库时间 2023-06-19 08:06:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/12 专利申请号:2020110500184 申请公布日:20201124

    发明专利申请公布后的驳回

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