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确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板

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摘要

本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板中，利用具有不同大小光刻图形的掩膜板对光阻进行光刻，以在基板上形成对应的测试图形，对所有测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，并在一数据库中放入相关的数据资料，将所述数据库中最高光刻良率所对应的所述测试图形的面积定义为该光阻在一光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以在所述数据库中找到目标光刻图形面积为优选光刻图形面积时所对应的光刻良率最高的光阻和光刻工艺条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而，可不必改变光阻的适用条件而达到较佳的刻蚀效果。

著录项

  • 公开/公告号CN111650820A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN202010600670.2

  • 发明设计人 刘冲;曹秀亮;李超;

    申请日2020-06-28

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-06-19 08:14:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-17

    授权

    发明专利权授予

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