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包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法

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本申请公开了包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法。一种半导体芯片包括：第一半导体器件以及层叠在第一半导体器件之上的第二半导体器件。第二半导体器件经由多个穿通电极电连接到第一半导体器件。在测试模式下，第一半导体器件被配置为经由多个穿通电极来驱动逻辑电平的第一模式和逻辑电平的第二模式，被配置为将通过来自第一半导体器件和第二半导体器件的第一模式和第二模式而产生的多个测试数据的逻辑电平进行比较，以产生指示多个穿通电极正常运作或异常运作的检测信号。

著录项

公开/公告号CN111668194A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-15

原文格式PDF
申请/专利权人爱思开海力士有限公司;
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申请/专利号CN201910910572.6
发明设计人崔善明;
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申请日2019-09-25
分类号H01L25/065(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人许伟群;阮爱青
地址韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 08:16:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-09-29

授权

发明专利权授予

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