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半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法

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本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。该方法能够去除半导体器件的氧化层刻蚀后残留物。

著录项

公开/公告号CN102201336B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-06

原文格式PDF
申请/专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;
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申请/专利号CN201010136701.X
发明设计人叶逸舟;朱晓静;杨晓松;郁志芳;
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申请日2010-03-26
分类号
代理机构北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人牛峥
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:13:03

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-06

授权

授权
2012-12-19

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/3105 变更前: 变更后: 登记生效日:20121116 申请日:20100326

专利申请权、专利权的转移
2011-11-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3105 申请日:20100326

实质审查的生效
2011-09-28

公开

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