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用于PECVD设备的原位清洗方法及对应的PECVD设备

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本发明提供用于PECVD设备的原位清洗方法及相应的PECVD设备。所述方法包括：第一步骤，向PECVD设备的反应腔室通入含氟清洗气体并将其压强调节至第一压强，开启射频发生器并持续第一预设时间；第二步骤，持续通入含氟清洗气体并将反应腔室压强调节至第二压强，保持射频发生器持续开启第二预设时间；第三步骤，持续通入含氟清洗气体并将其压强调节至第三压强，保持射频发生器持续开启第三预设时间；第四步骤，持续通入含氟清洗气体并将其压强调节至第四压强，保持射频发生器持续开启第四预设时间；以及第五步骤，持续通入含氟清洗气体并将其压强调节至第五压强，保持射频发生器持续开启第五预设时间；其中第一至第五压强依次减小。本发明能有效提高清洗效率。

著录项

公开/公告号CN111850510A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30

原文格式PDF
申请/专利权人上海理想万里晖薄膜设备有限公司;
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申请/专利号CN202010749081.0
发明设计人吴科俊;张津燕;马哲国;陈金元;
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申请日2020-07-30
分类号C23C16/44(20060101);C23C16/505(20060101);
代理机构
代理人
地址 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
入库时间 2023-06-19 08:45:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-04-07

著录事项变更 IPC(主分类):C23C16/44 专利申请号:2020107490810 变更事项:申请人变更前:上海理想万里晖薄膜设备有限公司变更后:理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房变更后:201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房

著录事项变更

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