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一种带栅源桥的GaN基P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法

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摘要

本发明提供一种带栅源桥的GaN基P‑GaN增强型HEMT器件结构及其制作方法，生长完GaN cap层后取出外延片利用薄膜沉积设备生长SiO2或SiN薄膜，再利用湿法腐蚀制作出所需的SiO2或SiN图形，接着进行二次外延生长，生长完整结构。刻蚀P‑GaN帽层时，剩下栅电极和连接栅源之间的P‑GaN，通过芯片制作后和SiO2或SiN介质层图形一起成为一个栅源桥。该发明较传统结构可以得到更高的阈值电压且由于栅源桥下介质膜的存在，在提高阈值电压的同时不会造成输出电流的下降。

著录项

  • 公开/公告号CN111863948A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京集芯光电技术研究院有限公司;

    申请/专利号CN202010766289.3

  • 发明设计人 黄愉;谢自力;王勇;潘巍巍;陈敦军;

    申请日2020-08-03

  • 分类号H01L29/417(20060101);H01L29/423(20060101);H01L23/29(20060101);H01L23/31(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/56(20060101);

  • 代理机构32332 江苏斐多律师事务所;

  • 代理人张佳妮

  • 地址 210008 江苏省南京市经济技术开发区恒园路龙港科技园B2栋1101室

  • 入库时间 2023-06-19 08:45:48

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