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一种基于C单元抗单粒子翻转的磁存储器读电路

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本发明的一种基于C单元抗单粒子翻转的磁存储器读电路，包括预充电电路模块的输入端连接预充电信号PRE；预充电电路模块的输出端与锁存电路模块的内部节点Q1、内部节点Q2、内部节点Q3和内部节点Q4相连接；锁存电路模块的输出端与读电路分离模块的输入端相连接；读电路分离模块的输出端与待读取数据信息的磁随机存储器存储单元的位线BL1和位线BL2相连接；输出电路模块的输入端与锁存电路模块的内部节点Q1和内部节点Q3相连接；输出电路模块的输出端OUT为本发明电路的输出端；本发明不仅可实现速度快、功耗低的数据信息读取功能，而且在数据信息读取过程中具有抗单粒子翻转的能力。

著录项

公开/公告号CN112053718A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08

原文格式PDF
申请/专利权人北京航空航天大学合肥创新研究院;
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申请/专利号CN202010911922.3
发明设计人张德明;王贤;张凯丽;赵巍胜;
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申请日2020-09-02
分类号G11C11/16(20060101);
代理机构34115 合肥天明专利事务所(普通合伙);
代理人苗娟
地址 230013 安徽省合肥市新站高新区文忠路999号
入库时间 2023-06-19 09:10:33

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1. 一种基于C单元抗单粒子翻转的磁存储器读电路 [P] . 中国专利： CN112053718A . 2020-12-08
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3. "AN APPARATUS FOR PROVIDING RESISTANCE TO SINGLE EVENT UPSET TO PULSE WIDTH MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT" [P] . IN240206B . 2009-04-24

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4. AN APPARATUS FOR PROVIDING RESISTANCE TO SINGLE EVENT UPSET TO PULSE WIDTH MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT [P] . IN2005DN01981A . 2009-04-24

机译：提供一种用于提供抗单粒子翻转脉冲宽度调制器集成电路
5. Tamper-resistant non-volatile memory device comprising an arithmetic circuit that, in operation, calculates a binary reference value based on at least a part of the pieces of resistance value information, a read circuit that, in operation, selectively assigns, based on the binary reference value, one of two values to each of the pieces of resistance value information, and a write circuit that, in operation, performs a write operation corresponding to one of the two values among memory cells [P] . 美国专利： US9653161B2 . 2017-05-16

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