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一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用

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本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏、气体传感、电子元器件等领域。

著录项

公开/公告号CN112151629A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29

原文格式PDF
申请/专利权人北京邮电大学;
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申请/专利号CN202011003961.X
发明设计人王琦;徐际宇;刘昊;袁学光;柴昭尔;刘凯;任晓敏;
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申请日2020-09-22
分类号H01L31/0336(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0352(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人盛大文
地址 100876 北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
入库时间 2023-06-19 09:21:28

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