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一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法

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本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。

著录项

公开/公告号CN112176398A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-05

原文格式PDF
申请/专利权人云南鑫耀半导体材料有限公司;
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申请/专利号CN202011139769.3
发明设计人陈娅君;刘汉保;普世坤;柳廷龙;叶晓达;柳廷芳;黄平;吕春富;张春珊;王顺金;陈维迪;
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申请日2020-10-22
分类号C30B11/00(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构53114 昆明祥和知识产权代理有限公司;
代理人董昆生
地址 650000 云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
入库时间 2023-06-19 09:27:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-18

授权

发明专利权授予

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1. 一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法 [P] . 中国专利： CN112176398A . 2021-01-05
2. 一种VGF法生长单晶的单晶炉结构 [P] . 中国专利： CN213507285U . 2021-06-22
3. Structure of a tube for growth of GaAs single crystal by V-VIS method or VGF method [P] . 韩国专利： KR940009375A . 1994-05-20

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