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增大铜层工艺窗口的OPC方法和OPC模块

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本发明公开了一种增大铜层工艺窗口的OPC方法，包括：在图形选出高度大于第一阈值的Jog；指定第一插入Jog的高度H和长度L,计算第一插入Jog的数量n；检测选出Jog距离(n‑1)*L范围内有无其他Jog；如有，则将检测到的Jog向远离选出Jog的方向平移(n‑1)*L的距离，n＞1的自然数；以选出的Jog的凹角处为起点，将第一插入Jog全部逐级插入，前(n‑1)级第一插入Jog高度为H，使第n级第一插入Jog与选出Jog边齐平；对每一级Jog检测MRC，若某一级Jog违反MRC，则在该级Jog凹角前再插入一个第二插入Jog，使其满足MRC；对该层做OPC操作，获得修正掩模版图形。本发明还公开了一种增大铜层工艺窗口的OPC模块。本发明根据待修正Jog周围环境使Retargeting层在疏密交接区域变换平缓降低铜层Open风险，增大铜层工艺窗口。

著录项

公开/公告号CN112485973A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-12

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
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申请/专利号CN202011355747.0
发明设计人刘佳琦;
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申请日2020-11-27
分类号G03F7/20(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人焦天雷
地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
入库时间 2023-06-19 10:11:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-02-03

授权

发明专利权授予

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专利
中文文献
外文文献

1. 增大铜层工艺窗口的OPC方法和OPC模块 [P] . 中国专利： CN112485973A . 2021-03-12
2. 针对特定图形旁波效应的OPC方法及通孔层OPC处理方法 [P] . 中国专利： CN112612181A . 2021-04-06
3. Optical proximity correction (OPC) method for improving lithography process window [P] . 美国专利： US6194104B1 . 2001-02-27

机译：用于改善光刻工艺窗口的光学邻近校正（OPC）方法
4. Method for recording / reproduction of data in / of a mu00ecdia of storage of information recordable disc having a plurality of recording layers by use of a collecting device ("P.Ickup "), mu00ecdia for storage of information, apparatus for recording / reproduction of data in / of a mu00ecdia of storage of information recordable disc which includes a plurality of recording layers.Mu00ecdia storage comprising a plurality of recordable information recording layers.Apparatus for recording / reproduction of data in / of a mu00ecdia of storage of information recordable disc which includes a plurality of recording layers.Method for performing control of power optimization ("optimum power control" - OPC) for each recording layer in a mu00ecdia data storage having a plurality of camAdas and disk drive recording. [P] . BRPI0504915A . 2006-10-24

机译：通过使用收集装置（“ P.Ickup”）在具有多个记录层的信息可记录盘的存储介质中记录数据的再现方法，其用于在包括多个记录层的信息可记录盘的存储中记录数据/再现的设备。M ec00ia存储包括多个可记录信息记录层。包括多个记录层的信息可记录盘的存储中的数据。用于对am ec00数据存储中的每个记录层执行功率优化控制的方法（“最优功率控制”-OPC）具有多个camAdas和磁盘驱动器的记录。
5. Method of OPC Model Building, Information-Processing Apparatus, and Method of Determining Process Conditions of Semiconductor Device [P] . 美国专利： US2008250380A1 . 2008-10-09

机译： OPC模型的建立方法，信息处理设备以及确定半导体器件工艺条件的方法