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电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法

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本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。

著录项

公开/公告号CN112507653A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16

原文格式PDF
申请/专利权人南京理工大学;
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申请/专利号CN202011161540.X
发明设计人张铮琪;宋家欣;陈俊山;曾晖;
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申请日2020-10-27
分类号G06F30/398(20200101);H01L29/30(20060101);
代理机构32203 南京理工大学专利中心;
代理人朱炳斐
地址 210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号
入库时间 2023-06-19 10:16:30

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2022-10-21

授权

发明专利权授予

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