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一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件

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摘要

一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件，其中，第一半导体层，第一半导体层中具有Te离子；第二半导体层，第二半导体层的导电类型和第一半导体层的导电类型相反；位于第一半导体层和第二半导体层之间的非掺杂量子阱层，所述非掺杂量子阱层适于阻挡Te扩散。所述隧道结结构的隧道结结构的遂穿峰值电流提高。

公开/公告号CN112531051A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-19

原文格式PDF
申请/专利权人苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司;
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申请/专利号CN202011412530.9
发明设计人王俊;苟于单;程洋;肖啸;郭银涛;杨火木;
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申请日2020-12-04
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0725(20120101);H01L31/0735(20120101);H01L31/18(20060101);
代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人项凯
地址 215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
入库时间 2023-06-19 10:19:37

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-07-14

著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/0352 专利申请号:2020114125309 变更事项:申请人变更前:苏州长光华芯光电技术股份有限公司变更后:苏州长光华芯光电技术股份有限公司变更事项:地址变更前:215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 变更后:215000 江苏省苏州市高新区漓江路56号变更事项:申请人变更前:苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司变更后:苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

著录事项变更

1. 一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件 [P] . 中国专利： CN112531051A . 2021-03-19
2. 存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法 [P] . 中国专利： CN113206189A . 2021-08-03
3. METHOD FOR ENCAPSULATING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION, METHOD FOR FORMING MAGNETIC DEVICE, AND STRUCTURE OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION [P] . 日本专利： JP2007110121A . 2007-04-26

机译：磁隧道结的增强方法，磁器件的形成方法以及磁隧道结的结构
4. METHOD OF FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION BASED ON NANOSIZE METAL-INSULATOR-METAL STRUCTURES AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION STRUCURE BASED ON NANOSIZE METAL-INSULATOR-METAL STRUCTURES (VERSIONS) [P] . 俄罗斯专利： RU2394304C2 . 2010-07-10

机译：基于纳米金属绝缘体金属结构的磁隧道结形成方法和基于纳米金属绝缘体金属结构的磁隧道结结构（版本）
5. METHOD FOR FORMING A magnetic tunnel junction based on nanoscale metal-insulator-metal tunnel junctions AND STRUCTURE FOR MAGNETIC magnetoresistive random access memory (optional) [P] . 俄罗斯专利： RU2007148327A . 2009-07-10

机译：基于纳米级金属-绝缘体-金属隧道结的磁性隧道结的形成方法以及磁磁阻随机存取存储器的结构（可选）