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一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法

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本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。

著录项

公开/公告号CN112599418A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人南京大学;
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申请/专利号CN202011470043.8
发明设计人余林蔚;胡瑞金;王军转;
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申请日2020-12-14
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙);
代理人李培
地址 210000 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
入库时间 2023-06-19 10:27:30

法律信息

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法律状态
2022-04-22

授权

发明专利权授予

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