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单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及生长装置

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本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。

著录项

公开/公告号CN112663135A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院福建物质结构研究所;
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申请/专利号CN202011377984.7
发明设计人郭国聪;王国强;刘彬文;姜小明;
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申请日2020-11-30
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/46(20060101);
代理机构11540 北京元周律知识产权代理有限公司;
代理人杨晓云
地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
入库时间 2023-06-19 10:38:35

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2023-09-08

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发明专利权授予

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