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PMOS器件及PMOS器件的制备方法

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本公开涉及半导体技术领域，提出了一种PMOS器件及PMOS器件的制备方法，PMOS器件包括衬底、SiGe层、源区、漏区、栅极以及侧壁间隔物，SiGe层设置在衬底上；源区和漏区间隔地设置在SiGe层内；栅极设置在SiGe层上；侧壁间隔物设置在栅极的外侧。本发明的PMOS器件将源区和漏区与SiGe层相结合，且兼容HKMG集成，具有空穴迁移率高，器件工作速度高，频率特性好等优点。其制备方法集成度高，可以低制造成本。

著录项

公开/公告号CN112750906A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04

原文格式PDF
申请/专利权人长鑫存储技术有限公司;
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申请/专利号CN201911055744.2
发明设计人白杰;
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申请日2019-10-31
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11438 北京律智知识产权代理有限公司;
代理人阚梓瑄;孙宝海
地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
入库时间 2023-06-19 10:51:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2023-04-25

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/78 专利申请号:2019110557442 申请公布日:20210504

发明专利申请公布后的驳回

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专利
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