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一种氟基SiC-CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法

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本发明公开了一种氟基SiC‑CVD晶体与薄膜生长制程尾气FTrPSA全组分回收再利用方法，涉及第三代半导体材料碳化硅(SiC)晶体及薄膜外延生长过程中的尾气中有效组分的回收以及返回到半导体制程循环使用的环保领域，采取氯硅烷喷淋吸收、C2+浅冷油吸收、氯硅烷中浅冷精馏与中温变压吸附浓缩之间的耦合与循环操作来分离和提纯所需的主要有效组分C2+、SiF4、HF、HCl、氯硅烷，甚至H2，或返回到SiC‑CVD制程循环使用，或返回至本发明系统中循环使用，由此实现制程尾气资源的循环再利用，解决了尾气中C2+与SiF4/HF/HCl难以分离的困难。

著录项

公开/公告号CN112777569A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11

原文格式PDF
申请/专利权人四川天采科技有限责任公司;
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申请/专利号CN202011489037.7
发明设计人钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;唐金财;蔡跃明;蒋强;
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申请日2020-12-16
分类号C01B7/19(20060101);C01B33/107(20060101);C01B7/07(20060101);C07C7/04(20060101);C07C11/04(20060101);C07C9/08(20060101);
代理机构51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司;
代理人轩勇丽
地址 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号天府新谷5号楼14楼
入库时间 2023-06-19 10:57:17

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2022-06-10

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发明专利权授予

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