一种光热材料作为制备牙本质过敏症治疗药物的应用

技术领域

本发明属于牙科生物医用材料技术领域，涉及光热材料作为制备牙本质过敏症治疗药物的应用。

背景技术

牙本质过敏症(Dentin hypersensitivity,DH)是一种临床常见病与多发病，在口腔门诊患者中约占1/7～1/4。任何年龄组均可发生。主要好发于牙齿

其发病机制还不明确，目前多数研究结果支持流体动力学说。该学说认为外界温度、机械性或化学等因素刺激暴露的牙本质小管引发管内液体异常流动，从而导致神经纤维兴奋产生痛觉。因此，封闭牙本质小管和降低牙髓神经的敏感性或两者联合的方式是现阶段治疗DH的主要策略。目前激光治疗广泛引起关注。GaAlAs半导体激光具有生物镇痛效应明显、安全性高、患者满意度好等优点，然而，仍存在脱敏后疗效维持时间短、需反复治疗等缺点。为了进一步提高半导体激光的脱敏疗效，药物化学与GaAlAs半导体激光联合应用成为研究热点。研发能够深入渗透牙本质小管并协同封闭的生物制剂至关重要。

本发明是提供一种光热材料的新用途，给出了治疗相关疾病的新思路，以解决现有技术中的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种光热材料的新用途，给出了治疗牙本质过敏症的新思路。

本发明公开了一种光热材料作为制备牙本质过敏症治疗药物的应用。

优选地，所述光热材料，包括花菁类有机小分子及其衍生物、有机共轭聚合物及其衍生物、卟啉类有机化合物及其衍生物、AIE有机小分子及其衍生物中至少一种。

进一步地，所述花菁类有机小分子采用通式(I)、(Ⅱ)、(Ⅲ)所示分子结构：

或其盐、水合物、螯合物中的至少一种，

其中，所述X基团包括O、S、N、Se、C；

所述Ar基团如下结构：

CnH2n+1、

进一步地，所述有机共轭聚合物包括有三个或三个以上互相平行的p轨道形成大π键结构。

优选地，所述有机共轭聚合物的单体结构采用如下所示分子结构：

或其盐、水合物、螯合物中的至少一种，

其中，所述X基团包括O、S、N、Se、C；

所述Ar基团如下结构：

C

进一步地，所述卟啉类有机化合物采用通式(Ⅳ)、(Ⅴ)所示分子结构：

或其盐、水合物、螯合物中的至少一种，

其中，所述M基团采用钌和锌；

其中，所述Ar的结构采用以下结构：

进一步地，所述AIE有机小分子采用如下所示分子结构：

其中，所述X基团包括O、S、N、Se、C；

所述Ar基团如下结构：

CN、CnH

中至少一种。

进一步优选地，所述光热材料，采用特定波长的光照射具有光热转化能力的光敏材料。

更进一步优选地，所述特定波长为800～820nm。

更进一步优选地，所述特定波长为808nm。

进一步地，以质量分数计，所述光热材料浓度为1mg/ml～20mg/ml。

本发明还公开了一种光热材料用于牙本质过敏症治疗的操作方法，包括以下步骤：

步骤一，在暴露的牙本质表面涂抹光热材料；

步骤二：采用GaAlAs半导体激光照射至少一次。

优选地，步骤二所述照射，采用准接触局部定点定量照射

优选地，步骤二所述GaAlAs半导体激光波长为808nm，能量密度为247.5J/cm

优选地，步骤二所述GaAlAs半导体激光照射时长为4-7s；更优选的，照射时长为5s。

优选地，步骤二所述激光照射次数为8次或9次；

本发明的有益效果在于：

1、提供了治疗牙本质过敏症的新思路；

2、材料获取容易，成本低，易于制备；

3、操作简单、安全；

4、与现有技术相比，光热材料涂抹于暴露的牙本质表面以后，可以迅速渗透至牙本质小管内，同时在牙本质表面形成封堵层，在激光照射下，可以加强光热效果，从而快速封闭牙本质小管，同时不损伤牙髓组织，以治疗牙本质过敏症；

5、光热材料在激光照射后导致牙本质表面迅速熔融，形成一层不易被机械冲刷或其他外力破坏的长期保护层，以保证牙本质过敏症治疗的长期疗效。

附图说明

图1为应用例1在SEM下的效果图；

图2为对比例1在SEM下的效果图；

图3为对比例2在SEM下的效果图；

图4为应用例2在SEM下的效果图；

图5为对比例3在SEM下的效果图；

图6为对比例4在SEM下的效果图；

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的具体实施方式作进一步描述，以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术实施例，而不能以此来限制本发明的保护范围。

实施例1

选用如下分子结构作为光热材料(A1)：

以质量分数计，浓度为1.2mg/ml(1mmol/L)。

化合物A1的合成路径如下：

化合物3的合成：

将化合物1(4.03g，10mol)，化合物2(2.54g，10mol)，Pd(dppf)

化合物5的合成：

将化合物4(4.4g，9.7mol)，化合物4(2.74g，10mol)，Pd(PPh

化合物7的合成：

在氮气保护下，将化合物5(4.769g，9.5mol)置于50mL的超干四氢呋喃溶液中，降温至-80℃，滴加37.5mL的1mol/L至反应体系中。2h后，往反应体系中加入三丁基氯化锡(3.25mol，10mol)后，室温反应12h。反应结束后，减压蒸馏体系中的四氢呋喃，向反应体系中加入化合物6(3.33g，9.5mol)和甲苯溶液50mL，回流反应8h。反应结束后，以乙酸乙酯/石油醚为洗脱剂进行硅胶柱层层析纯化，得到12g化合物7，产率为97％。

实施例1中用于离体牙牙本质暴露模型的材料为纳米粒子，制备方法如下：

步骤一，将适量所述的AIE小分子与PEG-DSPE

在细胞破碎仪中取适量上述混合溶液逐滴缓慢滴入到适量去离子水中，超声处理，得纳米粒溶液；用氮气单口吹以蒸发溶剂，一定时间后得目标纳米粒备用；

步骤二，将上述的纳米粒子用透析袋进行透析，期间每隔2-3h更换去离子水，换水频率约为3-4次；用去离子水将溶液定容，即可制备成的具有光热效应的纳米粒子。

实施例2-3

实施例2-3与实施例1相比较，仅仅是光热材料的具体选择不同，参数见表1：

表1光热材料的选择表

为了进一步说明本发明的有益效果，特设置如下应用例和对比例:

收集新鲜拔除的人健康第三磨牙，制备15个厚度为1.5mm的牙本质块，酸蚀后冲洗、干燥，构建牙本质敏感症体外模型。将每个牙本质块分为面积均等的三份，随机选取一份作为应用例1的材料，其他两份随机选作为对比例1、对比例2材料；

收集新鲜拔除的3月龄SD(Sprague Dawley,SD)雄性大鼠的健康上颌第一磨牙，酸蚀后冲洗、干燥，构建牙本质敏感症体外模型。将牙本质块随机分三组，随机选取一份作为应用例2的材料，其他两份随机选作为对比例3、对比例4材料.

应用例1

选用实施例1所述的光热材料，用于离体牙牙本质暴露模型进行研究，具体步骤如下：

步骤一，用小棉棒蘸取实施例1所述的光热材料，涂抹在暴露的牙本质表面直至光热材料在牙本质表面均匀分布；

步骤二，用能量密度为247.5J/cm

对比例1

对比例1与应用例1的区别在于不进行步骤二操作。

对比例2

对比例2与应用例1的区别在于不进行步骤一与步骤二操作。

应用例2

应用例2与应用例1的区别在于牙齿来源不同。

对比例3

对比例3与应用例2的区别在于不进行步骤二操作。

对比例4

对比例4与应用例2的区别在于不进行步骤一与步骤二操作。

应用例与对比例操作条件如下表2：

表2应用例与对比例条件设置区别表

注：“√”表示“有此操作”，“×”表示“无此操作”

通过SEM进行观察，结果如附图2-6所示。

采用Image-pro plus 6.0软件测量并计算牙本质小管封闭率。

SEM显示对比例2牙本质小管完全开放，对比例1牙本质小管部分堵塞，应用例1牙本质小管大面积封闭，且无明显的凹坑和裂纹。对比例1牙本质小管的封闭率为(57.256±12.376)％，应用例为(86.562±10.748)％，应用例1牙本质小管表面的封闭效果显著优于对比例1(P＜0.05)；

对比例1牙本质小管纵截面的封闭深度为7.48±1.62μm，应用例1为10.74±1.68μm，应用例1对牙本质小管的封闭较对比例1深(P<0.05)；

其中，P值为统计学领域的数值。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。