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一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用

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本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n+SiC(360μm)/n‑SiC(11μm)/对称电极/WS2纳米片；所述探测器先在SiO2/Si衬底上通过机械剥离制备微米尺寸的不规则WS2纳米片；再通过PVA干法转移工艺，将WS2转移至已通过光刻蒸镀工艺沉积对称电极的SiC衬底上，最后将附有WS2/PVA膜的SiC衬底放入50～60℃去离子水或二甲基亚砜中加热使PVA膜溶解；保护气氛中在100～250℃退火获得。本发明提高了WS2探测器的性能，促进了SiC基二维材料功能器件的应用发展，有利于商业化推广。

著录项

公开/公告号CN113097334A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-09

原文格式PDF
申请/专利权人华南师范大学;
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申请/专利号CN202110251934.2
发明设计人李京波;张帅;高伟;张峰;岳倩;郑涛;
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申请日2021-03-08
分类号H01L31/101(20060101);H01L31/113(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构44329 广东广信君达律师事务所;
代理人彭玉婷
地址 510630 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号
入库时间 2023-06-19 11:45:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-11

授权

发明专利权授予

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1. 一种SiC基二硫化钨紫外-可见光电探测器及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN113097334A . 2021-07-09
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