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一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法

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本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，包括以下步骤：(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。

著录项

公开/公告号CN113125474A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人复旦大学;
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申请/专利号CN202110295694.6
发明设计人车仁超;裴科;杨利廷;张瑞轩;杨辰迪;张捷;
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申请日2021-03-19
分类号G01N23/04(20180101);G01N23/20058(20180101);G01N23/20008(20180101);G01N1/28(20060101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人刘燕武
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2023-06-19 11:52:33

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2022-05-20

授权

发明专利权授予

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